本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置,用以降低生产成本,进而保护周边过孔后续沉积的金属,避免金属和树脂粘附性不良的情况。阵列基板制造方法包括依次在衬底基板上制造栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源漏极、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、存储电容上基板和第三钝化层;在第三钝化层上刻蚀位于漏极上方,贯穿第一、第二和第三钝化层的第一过孔、位于像素电极上方,贯穿第二和第三钝化层的第二过孔、位于存储电容上基板上方,贯穿第三钝化层的第三过孔、位于周边引线区源极上方,贯穿第一、第二和第三钝化层的第四过孔、位于周边引线区栅极上方,贯穿栅极绝缘层、第一、第二和第三钝化层的第五过孔。
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:依次在衬底基板上制造栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源漏极、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、存储电容上基板和第三钝化层;在所述第三钝化层上刻蚀第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔,其中,所述第一过孔位于所述漏极上方,贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层,所述第二过孔位于所述像素电极上方,贯穿所述第二钝化层和第三钝化层,所述第三过孔位于所述存储电容上基板上方,贯穿所述第三钝化层,所述第四过孔位于周边引线区源极上方,贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层,所述第五过孔位于周边引线区栅极上方,贯穿所述栅极绝缘层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层;在所述第三钝化层上沉积金属层,所述第一过孔和所述第二过孔通过沉积于孔内的金属层将所述漏极和所述像素电极电连接,所述第三过孔通过沉积于孔内的金属层将所述存储电容上基板与周边引线区的接地引线电连接,所述第四过孔内沉积的金属层用于将周边引线区的源极与周边引线区的导线电连接,所述第五过孔内沉积的金属层用于将周边引线区的栅极与周边引线区的导线电连接。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述第三钝化层上刻蚀第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔,包括:在所述第三钝化层上涂覆光刻胶,采用半透膜或灰阶掩模曝光,对周边引线区中栅极上方区域的光刻胶全曝光,源极上方区域的光刻胶半曝光;对像素区中漏极上方区域、像素电极上方区域和存储电容上基板上方区域的光刻胶半曝光;对其它区域的光刻胶不曝光,采用干法刻蚀得到第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔;或在所述第三钝化层上涂覆光刻胶,对周边引线区中栅极上方区域、源极上方区域;对像素区中漏极上方区域、像素电极上方区域和存储电容上基板上方区域的光刻胶全曝光,对其它区域的光刻胶不曝光,采用干法刻蚀得到第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:在所述金属层上制作第四钝化层。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述第四钝化层为感光树脂或非感光树脂。
5.根据权利要求3-4任一权项所述的方法,其特征在于,所述制作第四钝化层包括:在所述金属层上涂覆树脂,并对所述树脂进行热固化处理,形成第四钝化层。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:在所述第四钝化层上刻蚀第六过孔,所述第六过孔位于所述漏极上方,贯穿所述第四钝化层。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述刻蚀第六过孔后,所述方法还包括:在所述第四钝化层上制作公共电极。
8.一种阵列基板,其特征在于,所述基板包括:衬底基板、依次位于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源漏极、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、存储电容上基板、第三钝化层、金属层,以及第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔;其中,所述第一过孔位于所述漏极上方,贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层;所述第二过孔位于所述像素电极上方,贯穿所述第二钝化层和第三钝化层;所述第一过孔和所述第二过孔通过沉积于孔内的金属层将所述漏极和所述像素电极电连接;所述第三过孔位于所述存储电容上基板上方,贯穿所述第三钝化层,所述第三过孔通过沉积于孔内的金属层将所述存储电容上基板与周边引线区的接地引线电连接;所述第四过孔位于周边引线区源极上方,贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层,所述第四过孔通过沉积于孔内的金属层将周边引线区的源极与周边引线区的导线电连接;所述第五过孔位于周边引线区栅极上方,贯穿所述栅极绝缘层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层,所述第五过孔通过沉积于孔内沉积的金属层将周边引线区的栅极与周边引线区的导线电连接。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述金属层为金属铝与金属钼的复合金属层。
10.一种显示装置,其特征在于,所述装置包括权利要求8-9任一权项所述的阵列基板。技术领域
本发明涉及显示器技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
目前医用平板探测器,将穿过人体的X射线转化为可见光,将光信号转换为电信号,避免了拍照洗照片的不便,成功的实时呈现物体形貌,图1为现有技术中采用11道掩膜板制作得到的平板探测器阵列基板的像素区的结构图,其中,该阵列基板包括玻璃衬底10、栅极11、栅极绝缘层12、半导体有源层13、漏极14、源极15、第一钝化层16、像素电极17、第二钝化层18、存储电容上基板19、第三钝化层110、位于存储电容上基板19上的接地金属层111、树脂钝化层112和公共电极113,其中,像素电极17、存储电容上基板19和公共电极113均为氧化铟锡(Indiumxa0Tinxa0Oxides,ITO)导电薄膜。漏极14上方的过孔001进行了多次套孔,具体为:第一钝化层16沉积后需要制作过孔、第二钝化层18沉积后需要制作过孔、第三钝化层110沉积后需要制作过孔、树脂钝化层112涂覆后需要制作过孔,这样的多次打孔容易造成像素不良。图2(a)与图2(b)为现有技术中的平板探测器阵列基板周边引线区的结构图,图2(a)中的过孔21和22同样进行了多次套孔,当在过孔21和22的孔内位置处沉积金属铝20时,过孔21处需要刻蚀掉沉积的金属铝,会造成金属铝下方的ITO的腐蚀,过孔22内沉积的金属铝和其下方的ITO粘附性差,后续焊接外界的集成芯片时,容易造成铝和ITO的脱落,严重时,会引起连在一起的内部的ITO松动,进而带着上方的树脂一起脱落的现象。同样地,图2(b)中的过孔23和24也进行了多次套孔,同样会造成金属铝下方的ITO的腐蚀,以及金属铝和其下方的ITO粘附性差的问题。综上所述,现有技术中的阵列基板像素区中漏极上方的过孔进行了多次套孔,在实际生产中套孔会产生一定的偏移,树脂的残留会造成像素不良;阵列基板周边引线区中的过孔处也进行了多次套孔,引线区中用作引线的电极采用金属铝电极,会造成引线电极区域的ITO腐蚀,以及金属铝和其下方的ITO粘附性差,容易造成脱落不良的问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置,用以降低生产成本,进而保护周边过孔后续沉积的金属,避免金属和树脂粘附性不良的情况。本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法,所述方法包括:依次在衬底基板上制造栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源漏极、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、存储电容上基板和第三钝化层;在所述第三钝化层上刻蚀第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔,其中,所述第一过孔位于所述漏极上方,贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层,所述第二过孔位于所述像素电极上方,贯穿所述第二钝化层和第三钝化层,所述第三过孔位于所述存储电容上基板上方,贯穿所述第三钝化层,所述第四过孔位于周边引线区源极上方,贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层,所述第五过孔位于周边引线区栅极上方,贯穿所述栅极绝缘层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层;在所述第三钝化层上沉积金属层,所述第一过孔和所述第二过孔通过沉积于孔内的金属层将所述漏极和所述像素电极电连接,所述第三过孔通过沉积于孔内的金属层将所述存储电容上基板与周边引线区的接地引线电连接,所述第四过孔内沉积的金属层用于将周边引线区的源极与周边引线区的导线电连接,所述第五过孔内沉积的金属层用于将周边引线区的栅极与周边引线区的导线电连接。由本发明实施例提供的阵列基板的制造方法,由于该阵列基板的制造方法包括在所述第三钝化层上刻蚀第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔,其中,所述第一过孔位于所述漏极上方,贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层,所述第二过孔位于所述像素电极上方,贯穿所述第二钝化层和第三钝化层,所述第三过孔位于所述存储电容上基板上方,贯穿所述第三钝化层,所述第四过孔位于周边引线区源极上方,贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层,所述第五过孔位于周边引线区栅极上方,贯穿所述栅极绝缘层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层,第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔在同一次工艺中制备得到,有效的避免了多次套孔引起的问题,降低生产成本,进而避免了周边过孔的金属因源极、漏极刻蚀和ITO刻蚀时,造成的对栅极上方孔内和源极上方孔内的腐蚀。较佳地,所述在所述第三钝化层上刻蚀第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔,包括:在所述第三钝化层上涂覆光刻胶,采用半透膜或灰阶掩模曝光,对周边引线区中栅极上方区域的光刻胶全曝光,源极上方区域的光刻胶半曝光;对像素区中漏极上方区域、像素电极上方区域和存储电容上基板上方区域的光刻胶半曝光;对其它区域的光刻胶不曝光,采用干法刻蚀得到第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔;或在所述第三钝化层上涂覆光刻胶,对周边引线区中栅极上方区域、源极上方区域;对像素区中漏极上方区域、像素电极上方区域和存储电容上基板上方区域的光刻胶全曝光,对其它区域的光刻胶不曝光,采用干法刻蚀得到第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔。这样,本发明中通过上述的方法在所述第三钝化层上刻蚀第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔,在实际生产中更简单、易行。较佳地,所述方法还包括:在所述金属层上制作第四钝化层。这样,当所述方法还包括:在所述金属层上制作第四钝化层,在实际生产中简单、易行。较佳地,所述第四钝化层为感光树脂或非感光树脂。这样,当第四钝化层为感光树脂或非感光树脂时,在实际生产中更加简单、方便。较佳地,所述制作第四钝化层包括:在所述金属层上涂覆树脂,并对所述树脂进行热固化处理,形成第四钝化层。这样,当制作第四钝化层包括:在所述金属层上涂覆树脂,并对所述树脂进行热固化处理,形成第四钝化层时,在实际生产中更加简单、方便。较佳地,所述方法还包括:在所述第四钝化层上刻蚀第六过孔,所述第六过孔位于所述漏极上方,贯穿所述第四钝化层。这样,当所述方法还包括:在所述第四钝化层上刻蚀第六过孔,所述第六过孔位于所述漏极上方,贯穿所述第四钝化层时,在实际生产中更加简单、方便。较佳地,所述刻蚀第六过孔后,所述方法还包括:在所述第四钝化层上制作公共电极。这样,当刻蚀第六过孔后,所述方法还包括:在所述第四钝化层上制作公共电极,在实际生产中更加简单、方便。本发明实施例还提供了一种阵列基板,所述基板包括:衬底基板、依次位于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源漏极、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、存储电容上基板、第三钝化层、金属层,以及第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔;其中,所述第一过孔位于所述漏极上方,贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层;所述第二过孔位于所述像素电极上方,贯穿所述第二钝化层和第三钝化层;所述第一过孔和所述第二过孔通过沉积于孔内的金属层将所述漏极和所述像素电极电连接;所述第三过孔位于所述存储电容上基板上方,贯穿所述第三钝化层,所述第三过孔通过沉积于孔内的金属层将所述存储电容上基板与周边引线区的接地引线电连接;所述第四过孔位于周边引线区源极上方,贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层,所述第四过孔通过沉积于孔内的金属层将周边引线区的源极与周边引线区的导线电连接;所述第五过孔位于周边引线区栅极上方,贯穿所述栅极绝缘层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层,所述第五过孔通过沉积于孔内沉积的金属层将周边引线区的栅极与周边引线区的导线电连接。由本发明实施例提供的阵列基板,由于所述基板包括:衬底基板、依次位于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源漏极、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、存储电容上基板、第三钝化层、金属层,以及第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔,该阵列基板能够有效的避免多次套孔引起的问题,降低生产成本,进而避免了周边过孔的金属因源极、漏极刻蚀和ITO刻蚀时,造成的对栅极上方孔内和源极上方孔内的腐蚀。较佳地,所述金属层为金属铝与金属钼的复合金属层。这样,当金属层为金属铝与金属钼的复合金属层时,能够提高所述金属层与其连接的金属层之间的粘附作用。本发明实施例还提供了一种显示装置,所述显示装置包括上面所述的阵列基板。由本发明实施例提供的显示装置,由于该显示装置包括上面所述的阵列基板,故该显示装置的生产成本也较低。
附图说明
图1为现有技术制造得到的医用平板探测器阵列基板的像素结构示意图;图2(a)和图2(b)分别为现有技术制造得到的医用平板探测器阵列基板的周边引线区栅极和源极上方区域过孔的示意图;图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法流程图;图4(a)和图4(b)分别为本发明实施例提供的一种阵列基板制造栅极后的像素区和周边引线区的结构示意图;图5(a)和图5(b)分别为本发明实施例提供的一种阵列基板制造源极、漏极后的像素区和周边引线区的结构示意图;图6(a)和图6(b)分别为本发明实施例提供的一种阵列基板制造第一钝化层后的像素区和周边引线区的结构示意图;图7(a)和图7(b)分别为本发明实施例提供的一种阵列基板制造第二钝化层后的像素区和周边引线区的结构示意图;图8(a)和图8(b)分别为本发明实施例提供的一种阵列基板制造第三钝化层和第三钝化层上的过孔后的像素区和周边引线区的结构示意图;图9(a)和图9(b)分别为本发明实施例提供的一种阵列基板制造搭接金属后的像素区和周边引线区的结构示意图;图10(a)和图10(b)分别为本发明实施例提供的一种阵列基板制造树脂钝化层及其上的过孔后的像素区和周边引线区的结构示意图;图11(a)和图11(b)分别为本发明实施例提供的一种阵列基板制造公共电极后的像素区和周边引线区的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置,用以降低生产成本,保护周边过孔的金属,避免金属和树脂粘附性不良的效果。如图3所示,本发明具体实施例提供了一种阵列基板的制造方法,所述方法包括:S301、依次在衬底基板上制造栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源漏极、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、存储电容上基板和第三钝化层;S302、在所述第三钝化层上刻蚀第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔,其中,所述第一过孔位于所述漏极上方,贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层,所述第二过孔位于所述像素电极上方,贯穿所述第二钝化层和第三钝化层,所述第三过孔位于所述存储电容上基板上方,贯穿所述第三钝化层,所述第四过孔位于周边引线区源极上方,贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层,所述第五过孔位于周边引线区栅极上方,贯穿所述栅极绝缘层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层;S303、在所述第三钝化层上沉积金属层,所述第一过孔和所述第二过孔通过沉积于孔内的金属层将所述漏极和所述像素电极电连接,所述第三过孔通过沉积于孔内的金属层将所述存储电容上基板与周边引线区的接地引线电连接,所述第四过孔内沉积的金属层用于将周边引线区的源极与周边引线区的导线电连接,所述第五过孔内沉积的金属层用于将周边引线区的栅极与周边引线区的导线电连接。下面结合附图详细说明本发明具体实施例中的阵列基板的制造方法,本发明具体实施例制造得到的阵列基板用于医用平板探测器上。本发明具体实施例中制造阵列基板时,阵列基板的像素区和周边引线区同时制造得到。如图4(a)和图4(b)所示,首先在玻璃衬底基板30上沉积金属钼Mo,在沉积的金属钼上涂覆光刻胶,通过对光刻胶进行曝光、显影,并对显影后光刻胶没有覆盖的金属钼进行湿法刻蚀,刻蚀后去除剩余的光刻胶,得到如图4(a)所示的阵列基板像素区的栅极31,和如图4(b)所示的阵列基板周边引线区的栅极31。本发明具体实施例中的栅极并不限定为金属Mo,还可以为其它的金属,如金属铝Al、金属镍Ni、金属铬Cr等的单层金属或多层金属组成的复合金属。如图5(a)和图5(b)所示,在制造得到的栅极31上依次沉积栅极绝缘层、半导体有源层和金属层,在沉积得到的金属层上涂覆光刻胶,采用半透膜掩膜板或灰阶曝光、显影,显影后先进行湿法刻蚀得到阵列基板周边引线区的源极34和栅极绝缘层32,如图5(b)所示。接着再灰化光刻胶,并进行干法刻蚀,得到阵列基板像素区的源极34、漏极35、半导体有源层33和栅极绝缘层32,如图5(a)所示。其中,半导体有源层33和源极34、漏极35也可以两步掩膜形成。如图6(a)和图6(b)所示,在图5(a)和图5(b)的基板上,连续沉积第一钝化层和像素电极,本发明具体实施例中的像素电极为ITO,在沉积得到的像素电极上涂覆光刻胶,通过对光刻胶进行曝光、显影,并对显影后光刻胶没有覆盖的像素电极进行湿法刻蚀,刻蚀后去除剩余的光刻胶,得到阵列基板像素区的像素电极37和第一钝化层36,如图6(a)所示。同时也得到阵列基板周边引线区的第一钝化层36,如图6(b)所示,这时,第一钝化层36和栅极绝缘层32很好的保护了周边引线区的源极34。如图7(a)和图7(b)所示,在图6(a)和图6(b)的基板上,连续沉积第二钝化层和存储电极,本发明具体实施例中的存储电极为ITO,在沉积得到的存储电极上涂覆光刻胶,通过对光刻胶进行曝光、显影,并对显影后光刻胶没有覆盖的存储电极进行湿法刻蚀,刻蚀后去除剩余的光刻胶,得到阵列基板像素区的存储电容上基板39和第二钝化层38,如图7(a)所示。同时也得到阵列基板周边引线区的第二钝化层38,如图7(b)所示,此时,周边引线区的源极34仍然受保护,不会被腐蚀。如图8(a)和图8(b)所示,在图7(a)和图7(b)的基板上,沉积第三钝化层,在沉积得到的第三钝化层上采用构图工艺得到阵列基板像素区的漏极35上方的过孔01、像素电极37上方的过孔02、存储电容上基板39上方的过孔03以及第三钝化层310,如图8(a)所示。同时也得到阵列基板周边引线区源极34上方的过孔04、栅极31上方的过孔05及第三钝化层310,如图8(b)所示。其中,本发明具体实施例中通过构图工艺得到过孔01、过孔02、过孔03、过孔04和过孔05可以采用两种方法。方法一:在第三钝化层上涂覆光刻胶,采用半透膜或灰阶掩模曝光,对阵列基板周边引线区中栅极31上方区域的光刻胶全曝光,源极34上方区域的光刻胶半曝光;对阵列基板像素区中漏极35上方区域、像素电极37上方区域、存储电容上基板39上方区域的光刻胶半曝光;对其它区域的光刻胶不曝光,采用干法刻蚀得到过孔01、过孔02、过孔03、过孔04和过孔05。由于阵列基板周边引线区中栅极上方区域的薄膜层数多,厚度大,而其它地方的薄膜层数少,厚度小,故先刻蚀一部分阵列基板周边引线区中栅极上方区域的薄膜的厚度后,再将半曝光区域的过孔处的光刻胶灰化掉,接着一起刻蚀,保证了所有的过孔刻蚀而不损伤其下方的金属。方法二:在第三钝化层上涂覆光刻胶,对阵列基板周边引线区中栅极31上方区域的光刻胶,源极34上方区域的光刻胶全曝光;并对阵列基板像素区中漏极35上方区域的光刻胶、像素电极37上方区域的光刻胶、存储电容上基板39上方区域的光刻胶全曝光,对其它区域中的光刻胶不曝光,采用干法刻蚀得到过孔01、过孔02、过孔03、过孔04和过孔05。如图9(a)和图9(b)所示,在图8(a)和图8(b)的基板上,沉积金属层,在沉积的金属层上涂覆光刻胶,通过对光刻胶进行曝光、显影,并对显影后光刻胶没有覆盖的金属层进行湿法刻蚀,刻蚀后去除剩余的光刻胶,得到阵列基板像素区的连接漏极35和像素电极37的金属层311和用作存储电容上基板39引线的金属层311,如图9(a)所示。同时也得到阵列基板周边引线区的源极34上方用作数据线引线的金属电极311和栅极上方用作栅极线引线的金属电极311,如图9(b)所示。本发明具体实施例中的金属层为金属铝Al与金属钼Mo的复合金属层,由于本发明具体实施例中的栅极、源极和漏极的金属是Mo,当金属层的最下方为金属Mo时,金属层311与栅极、源极和漏极的粘附性更好,为了更好的制作引线,金属层最上方的金属为金属Al。本发明具体实施例并不对金属层做具体的限定,金属层可以为单层金属也可以为多层金属组成的复合金属。如图10(a)和图10(b)所示,在图9(a)和图9(b)的基板上涂覆树脂,对该涂覆的树脂进行热固化处理形成钝化层,对该钝化层进行光刻胶的涂覆、曝光及显影,之后进行干法刻蚀及去除光刻胶,形成阵列基板像素区的钝化层312和过孔06,如图10(a)所示,在刻蚀过程中,将涂覆在阵列基板周边引线区的钝化层均刻蚀掉,如图10(b)所示。本发明具体实施例中涂覆的树脂可以使用感光树脂,也可以使用非感光树脂。树脂钝化层的介电常数小,且能涂覆较大厚度,增大了垂直方向的距离,能够起到减小电容的作用。如图11(a)和图11(b)所示,在图10(a)和图10(b)的基板上沉积ITO薄膜,在沉积的ITO薄膜上涂覆光刻胶,通过对光刻胶进行曝光、显影,并对显影后光刻胶没有覆盖的ITO进行湿法刻蚀,湿法刻蚀中选择不含硝酸的刻蚀液,选择性的刻蚀掉暴露出来的ITO,刻蚀后去除剩余的光刻胶,得到如图11(a)所示的阵列基板像素区的公共电极313,在刻蚀过程中,将沉积在阵列基板周边引线区的ITO均刻蚀掉,如图11(b)所示,由于选择不含硝酸的刻蚀液对ITO进行选择性的刻蚀,该刻蚀液不会对金属造成腐蚀作用,也不会产生粘附性等不良。如图9(a)和图9(b)所示,本发明具体实施例提供了一种阵列基板,所述基板包括:衬底基板30、依次位于所述衬底基板30上的栅极31、栅极绝缘层32、半导体有源层33、源极34、漏极35、第一钝化层36、像素电极37、第二钝化层38、存储电容上基板39、第三钝化层310、金属层311,以及第一过孔01、第二过孔02、第三过孔03、第四过孔04和第五过孔05;其中,所述第一过孔01位于所述漏极35上方,贯穿所述第一钝化层36、第二钝化层38和第三钝化层310;所述第二过孔02位于所述像素电极37上方,贯穿所述第二钝化层38和第三钝化层310;所述第一过孔01和所述第二过孔02通过沉积于孔内的金属层311将所述漏极35和所述像素电极37电连接;所述第三过孔03位于所述存储电容上基板39上方,贯穿所述第三钝化层310,所述第三过孔03通过沉积于孔内的金属层311将所述存储电容上基板39与周边引线区的接地引线电连接;所述第四过孔04位于所述源极34上方,贯穿所述第一钝化层36、第二钝化层38和第三钝化层310,所述第四过孔04通过沉积于孔内的金属层311将所述源极34与周边引线区的导线电连接;所述第五过孔05位于所述栅极31上方,贯穿所述栅极绝缘层32、第一钝化层36、第二钝化层38和第三钝化层310,所述第五过孔05通过沉积于孔内沉积的金属层311将所述栅极31与周边引线区的导线电连接。除非另作定义,此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。本发明具体实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括上面所述的阵列基板,具体地,本发明中的显示装置为液晶显示装置,该液晶显示装置可以为边缘场面内转动(Fringexa0Fieldxa0Switching,FFS)模式,也可以为高级超维场转换(Advancedxa0Superxa0Dimensionxa0Switch,ADS)模式,本发明具体实施例并不对其作具体限定。显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。